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FKN0107
P沟道,电流:-0.9A,耐压:-100V
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- 品牌名称
- FETek(东沅)
- 商品型号
- FKN0107
- 商品编号
- C2926959
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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