FKD4903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 描述
- FKD4903是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET,具有高单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。FKD4903符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- FETek(东沅)
- 商品型号
- FKD4903
- 商品编号
- C2926958
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
FKD4903是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET,具有高单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 FKD4903符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证通过易感性评估(EAS),且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证通过易感性评估(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 同步整流-同步降压
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