FKBA4094
1个N沟道 耐压:40V 电流:114A
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- 描述
- 特性:先进的沟槽MOS技术。 低栅极电荷。 低RDS(ON)。 100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。应用:台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
- 品牌名称
- FETek(东沅)
- 商品型号
- FKBA4094
- 商品编号
- C2926956
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.279克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.648nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 899pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术,具备增强型沟槽栅极结构,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻(RDS(on))
- 出色的品质因数(FoM)
- 低反向传输电容(Crss)与输入电容(Ciss)之比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
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