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FKBA3115
1个P沟道 耐压:30V 电流:59A
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- 描述
- FKBA3115是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。FKBA3115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- FETek(东沅)
- 商品型号
- FKBA3115
- 商品编号
- C2926955
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
FKBA3115是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 FKBA3115符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统
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