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HG4953M/TR
双P沟道增强型MOSFET,电流:-4.9A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG4953M/TR
- 商品编号
- C2926380
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 30V/-4.9A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 53 mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统
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