- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HG4953M/TR
双P沟道增强型MOSFET,电流:-4.9A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG4953M/TR
- 商品编号
- C2926380
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |