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FSS2301M

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A

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商品型号
FSS2301M
商品编号
C2926139
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))86mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th))600mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.5nC
输入电容(Ciss)327pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)62pF

商品概述

该器件是一款采用先进沟槽技术的P沟道增强型功率MOSFET,专为在紧凑型表面贴装封装中实现低导通电阻和高电流处理能力而设计。其低栅极电荷和低反向传输电容确保了快速开关性能,同时保持低栅极驱动要求。该器件适用于各种需要高效功率转换和开关的应用。

商品特性

  • 采用先进的沟槽技术,实现低导通电阻
  • 低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 快速开关能力
  • 雪崩能量额定值
  • 改进的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准,无卤素

应用领域

  • 负载开关
  • 电源管理
  • 电池充电电路
  • 电机控制
  • DC-DC转换器

数据手册PDF