- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GS66508T-MR
顶部散热增强型氮化镓功率晶体管，具备低电感封装、高开关频率和零反向恢复损耗
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS66508T-MR
- 商品编号
- C30703032
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 242pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |