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GL8P04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GL8P04

P沟道 耐压:40V 电流:8A

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描述
GL8P04采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOT - 23 - 3L,符合RoHS标准
品牌名称
GL(光磊)
商品型号
GL8P04
商品编号
C2924226
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.049克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)750pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

FH3030BG6采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • RDS(ON)<33 m Ω@VGS=10 V(典型值23mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低 \mathsfRdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 散热性能良好的优质封装

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF