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HYG012N08NS1TA
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:80V 电流:420A
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- 描述
- 特性：80V/420A。 RDS(ON)=0.9mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG012N08NS1TA
- 商品编号
- C2923686
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.947143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 428.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.217nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 80V/420A
- RDS(ON) = 0.9 mΩ(典型值),@ VGS = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 可选无卤器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理
- 电池管理
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- ECE2GM8R2G17CTPVZC-L=9
- ECH1EM391G10OTZVZC
- EPH1VM470E12OTBVZC
- ECH2GM1R5F09OTZVZC
- EG21AM681F12OTGVZC
- ECG1BM151G25OTBVZC
- ECG2EM4R7F09CTBVZC-L=3.3
- ECH1JM680F12OTZVZC