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HYG012N08NS1TA
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:80V 电流:420A
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- 描述
- 特性：80V/420A。 RDS(ON)=0.9mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG012N08NS1TA
- 商品编号
- C2923686
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.947143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 428.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.217nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式双扩散金属氧化物半导体（Trench DMOS）功率MOSFET
- 快速开关
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关
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