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IRFP450LCPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 描述
- 这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术，减少了栅极驱动要求，提高了开关速度，并提升了整个系统的经济性。这些改进与功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性相结合，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFP450LCPBF
- 商品编号
- C2922670
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
高单元密度沟槽型P沟道MOSFET为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。它符合RoHS标准和绿色产品要求。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，导通电阻RDS(on) = 40 mΩ（典型值）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术