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EMB06N03A
N沟道,电流:80A,耐压:30V
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- 品牌名称
- EMC(杰力)
- 商品型号
- EMB06N03A
- 商品编号
- C2919832
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.983nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 287pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 328pF |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 20V、3A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 55 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 85 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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