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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EMB06N03HR

N沟道逻辑电平增强型场效应管,电流:75A,耐压:30V

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品牌名称
EMC(杰力)
商品型号
EMB06N03HR
商品编号
C2919830
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.224克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)31.7nC@10V
输入电容(Ciss)2.04nF@15V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

~~- 动态dv/dt额定值-表面贴装(IRFR014、SiHFR014)-直引脚(IRFU014、SiHFU014)-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS标准-无卤

数据手册PDF