EMB06N03HR
N沟道逻辑电平增强型场效应管,电流:75A,耐压:30V
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- 品牌名称
- EMC(杰力)
- 商品型号
- EMB06N03HR
- 商品编号
- C2919830
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-表面贴装(IRFR014、SiHFR014)-直引脚(IRFU014、SiHFU014)-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS标准-无卤
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