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STGWA15M120DF3
1.2kV 30A
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- 描述
- 1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA15M120DF3
- 商品编号
- C2919729
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 259W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@15A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@500uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 985pF | |
| 输出电容(Coes) | 118pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 38pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 122ns | |
| 导通损耗(Eon) | 550uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 850uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 270ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件属于M系列IGBT，在性能上达到了平衡，可最大化逆变器系统的效率，其中低损耗和短路能力至关重要。此外，正的V_CE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 10μs短路耐受时间
- V_CE(sat)=1.85V（典型值）在I_C=15A时
- 参数分布紧密
- 并联更安全
- 低热阻
- 软且快速恢复的反并联二极管
应用领域
- 工业驱动
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能
- 焊接