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SiZ918DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:14.3A
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- 描述
- 特性：采用TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本系统电源。 POL同步降压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SiZ918DT-T1-GE3
- 商品编号
- C2917612
- 商品封装
- DFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
40V/165A RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）@VGS = 10V RDS(ON) = 1.5 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择
商品特性
- 40V/165A
- RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）@VGS = 10V
- RDS(ON) = 1.5 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
- 开关应用
- DC/DC电源管理
- 电池保护
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- 0603N4R7C101CT
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