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HYG025N04NA1C2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG025N04NA1C2

N沟道 耐压:40V 电流:190A

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描述
特性:40V/190A,RDS(ON)=1.4mΩ(典型值)@VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件。应用:负载开关-锂电池保护板
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG025N04NA1C2
商品编号
C2917677
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.021克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)190A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)122.2nC@10V
输入电容(Ciss)5.744nF
反向传输电容(Crss)615pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

GT110N06D5采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • VDS:60V
  • ID(VGS = 10V时):45A
  • RDS(ON)(VGS = 10V时):11mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5V时):14mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF