温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TF2184M-TAH

高端和低端栅极驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C
品牌名称: TFSS(德律风根)
商品型号: TF2184M-TAH
商品编号: C2917160
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.268克(g)

商品参数

商品概述

TF2190M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。TF Semi的高压工艺使TF2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。 TF2190M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
输出驱动器典型灌/拉电流能力为4.5A/4.5A
逻辑输入（HIN和LIN）支持3.3V
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
扩展温度范围：-40℃至+125℃

应用领域

电机控制
DC-DC转换器
AC-DC逆变器
D类功率放大器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4.5A
	拉电流(IOH)	4.5A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	140ns
	传播延迟 tpHL	140ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	75uA