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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIF4N65F

N-沟道,电流:4.0A,耐压:650V

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品牌名称
SI(深爱)
商品型号
SIF4N65F
商品编号
C2916299
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V,2A
耗散功率(Pd)36W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)13.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss)12pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 40V/354A
  • RDS(ON) = 1.1 mΩ(典型值),VGS = 10 V
  • 经过100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 有无卤器件可供选择

应用领域

  • 负载开关-锂电池保护板

数据手册PDF