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LMUN5114T1G

偏置电阻晶体管

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描述
这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些独立元件集成到单个器件中,从而省去了它们
商品型号
LMUN5114T1G
商品编号
C2916241
商品封装
SC-70(SOT-323)​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)310mW
晶体管类型PNP
属性参数值
直流电流增益(hFE)80@5mA,10V
输出电压(VO(on))-
输入电阻10kΩ
电阻比率4.7
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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