温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PTA09N90
1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,900V,1.2?@10V,9A
- 品牌名称
- PIP(丽隽)
- 商品型号
- PTA09N90
- 商品编号
- C343860
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.593nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 146pF |
商品概述
NCE40H29D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 290A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 2.4 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源