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EMB9
数字晶体管（内置电阻）、双数字晶体管（PNP+PNP）
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- 描述
- 特性：一个封装中包含两个DTA114Y芯片。可使用SOT-563自动贴装机进行安装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将安装成本和面积减半
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- EMB9
- 商品编号
- C2910275
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 5.7 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |