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CJAC100SN08U实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAC100SN08U

1个N沟道 耐压:80V 电流:100A

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描述
N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品型号
CJAC100SN08U
商品编号
C2906252
商品封装
PDFNWB-8L(5X6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.195克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.78nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.8nF

商品概述

30V/220A RDS(ON) = 0.63mΩ(典型值)@VGS = 10V RDS(ON) = 0.96mΩ(典型值)@VGS = 4.5V 100%雪崩测试

  • 可靠耐用
  • 提供无卤器件

商品特性

  • 电池开关
  • 负载开关
  • 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)

应用领域

  • 网络
  • 负载开关
  • LED应用

数据手册PDF