温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMSQ120R040M2HHXUMA1
硅碳化物MOSFET，具有顶部冷却和XT技术
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMSQ120R040M2HHXUMA1
- 商品编号
- C29889959
- 商品封装
- PG-HDSOP-16-U03
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 9.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |
商品概述
引脚1和9对应栅极G1和G2，引脚2和10对应开尔文检测K1和K2，引脚3、4、11和12对应源极S1和S2，引脚5、6、7、8、13、14、15和16对应漏极D1和D2。源极引脚和检测引脚不可互换，互换可能导致功能故障。
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = 25°C
- I_DDC = 40 A，T_C = 100°C
- R_DS(on) = 40 mΩ，V_GS = 18 V，T_vj = 25°C
- 内部布局针对快速开关优化
- 开关损耗极低
- 过载工作温度可达 T_vi = 200°C
- 短路耐受时间 2 µs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用 .XT 互连技术，实现的散热性能
- 适用的英飞凌栅极驱动器可在指定网址找到
应用领域
- 通用驱动
- 电动汽车充电
- 在线不间断电源 / 工业不间断电源
- 组串式逆变器
- 伺服驱动