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BSS123
1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻：6Ω。低输入电容：20pF。低输出电容：9pF。低阈值：2.8V。快速开关速度：20nS。符合RoHS标准且无卤。应用：DC-DC转换器。手机及PCMCIA卡
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- BSS123
- 商品编号
- C2903845
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
HSU28N15是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU28N15符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 低导通电阻:6Ω
- 低输入电容:20 pF
- 低输出电容:9 pF
- 低阈值:2.8 V
- 快速开关速度:20 nS
- 符合 RoHS 标准且无卤素
应用领域
- 直流到直流转换器
- 蜂窝电话和 PCMCIA 卡
- 无绳电话
- 便携式设备和电池等的电源管理