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W634GU6RB-11

4G位DDR3L SDRAM

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W634GU6RB-11
商品编号: C29801372
商品封装: VFBGA-96(13x7.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1.705556克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

Winbond W631GU6NB-11是一款1.5V、512Mbit的低功耗双倍数据速率3L同步动态随机存取存储器（DDR3L SDRAM）器件。该器件内部配置为8个存储体、16位I/O，组织架构为32M×8存储体×16位。它采用双倍数据速率架构以实现高速运行。该双倍数据速率架构本质上是一个8n预取架构，其接口设计为在I/O引脚处每个时钟周期传输两个数据字。对于DDR3L SDRAM，单次读取或写入访问实际上包括在内部DRAM核心进行一次8n位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在I/O引脚处进行八次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。该器件设计符合DDR3L DRAM的关键特性，例如带附加延迟的CAS#置后、写入延迟等于读取延迟减1、片内终端（ODT）以及用于写入操作的动态ODT。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿和CK#下降沿）锁存。所有I/O均与一对双向差分数据选通（DQS， DQS#）同步，该选通信号在读取时与数据边沿对齐，在写入时与数据中心对齐。该器件支持以下特性：可编程CAS延迟、可编程附加延迟、可编程突发长度（通过模式寄存器设置（MRS）实现BL8、BC4和BC4）以及可编程部分阵列自刷新（PASR）。

商品特性

电源电压 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
8n位预取架构
差分时钟输入（CK， CK#）
差分数据选通（DQS， DQS#）
数据选通（DQS， DQS#）在读取时与数据边沿对齐，在写入时中心对齐
数据掩码（DM）在写入时屏蔽数据
所有地址和控制输入均在CK和CK#的正负交叉点锁存
可编程CAS延迟：5， 6， 7， 8， 9， 10， 11， 12， 13， 14
可编程附加延迟：0， CL-1， CL-2
可编程突发长度：8， 4（通过BC4或BL8模式）
可编程部分阵列自刷新（PASR）
自动自刷新（ASR）和自刷新温度（SRT）
动态ODT（Rtt_WR）支持
可编程输出驱动器阻抗（RZQ/7， RZQ/6， RZQ/5）
可编程片内终端（ODT）阻抗（RZQ/6， RZQ/7， RZQ/4， RZQ/2，禁用）
可编程写恢复（WR）
可编程CWL：5， 6， 7， 8， 9， 10， 11， 12， 13， 14
可编程DLL复位
可编程DLL使能/禁用
可编程输出禁用
可编程多用途寄存器（MPR）
可编程测试模式
可编程预充电掉电DLL
可编程写均衡
可编程ZQ校准
可编程复位
可编程初始化
可编程模式寄存器
可编程命令真值表
可编程CKE真值表
可编程简化状态图
可编程电气特性
可编程最大额定值
可编程工作温度条件
可编程直流和交流工作条件
可编程推荐直流工作条件
可编程输入和输出漏电流
可编程接口测试条件
可编程直流和交流输入测量电平
可编程直流和交流输入电平（用于单端命令和地址信号）
可编程直流和交流输入电平（用于单端数据信号）
可编程差分摆幅要求（用于时钟（CK - CK#）和选通（DQS - DQS#））
可编程差分信号的单端要求
可编程差分输入交叉点电压
可编程单端输入信号的压摆率定义
可编程差分输入信号的压摆率定义
可编程直流和交流输出测量电平
可编程输出压摆率定义和要求
可编程单端输出压摆率
可编程差分输出压摆率
可编程输出驱动器直流电气特性
可编程输出驱动器温度和电压灵敏度
可编程片内终端（ODT）电平和特性
可编程ODT电平和I-V特性
可编程ODT直流电气特性
可编程ODT温度和电压灵敏度
可编程RTTPU和RTTPD设计指南
可编程ODT时序定义

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3L SDRAM
	时钟频率(fc)	933MHz
	存储容量	4Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V