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SL3400
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 30 ID@TC=59?C(A) 5.8 PD@TC=59?C(W) 1.4 VGS(V) ±12 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.39V 45
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL3400
- 商品编号
- C337072
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 5.8A
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 59 m Ω
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 45 m Ω
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 41 m Ω
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电源管理功能-模拟开关