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UCC27710DR(UMW)

650V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

描述: UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: UCC27710DR(UMW)
商品编号: C29780640
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.127克(g)

商品参数

商品概述

UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可支持 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET，其工作电压最高可达 600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
最高可在 +650V 下完全正常工作
与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
dV/dt 抗噪能力 ±50V/ns
双通道均具备欠压锁定功能
- VCC 欠压锁定阈值 8.7V/7.7V
- VBS 欠压锁定阈值 8.2V/7.3V
传播延迟
- 导通时间/关断时间 = 2.50ns/150ns
- 匹配延迟时间 50ns
交叉导通预防逻辑
- 死区时间 130ns
宽工作温度范围 -40℃~125℃
典型输出源/灌电流能力：0.6A/1A

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型/小型逆变器驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	600mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	250ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	60uA