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SDM56AG04LV
N沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。 增强型体二极管性能。 绿色产品（符合RoHS标准）；100%无铅。 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM56AG04LV
- 商品编号
- C29780698
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.203nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品概述
SPP3413S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。
这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V/-4.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS~~- 4.5V
- -20V/-3.5A，RDS(ON) = 40mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
- -20V/-2.0A，RDS(ON) = 56mΩ（典型值）@VGS = -1.8V
- -20V/-1.0A，RDS(ON) = 85mΩ（典型值）@VGS = -1.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器
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