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11N60C3-VB TO263
N沟道,电流:16A,耐压:650V
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 11N60C3-VB TO263
- 商品编号
- C29779472
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 降低 trr、Qrr 和 IRRM
- 低品质因数 (FOM) R\text on x Q\text g
- 低输入电容 (Ciss)
- 因 Qrr 降低而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 有雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光镇流器照明-消费电子和计算机-ATX 电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源 (SMPS)