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HAT2218RJ-VB
双N沟道,电流:8A,耐压:30V
- 描述
- SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HAT2218RJ-VB
- 商品编号
- C29779301
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单