温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STJ009-VB
P沟道,电流:-5.8A,耐压:-30V
- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STJ009-VB
- 商品编号
- C29779209
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关