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AM30N10-50D-T1-PF-VB
N沟道,电流:40A,耐压:100V
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- 描述
- TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AM30N10-50D-T1-PF-VB
- 商品编号
- C29778796
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器