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20P02J-VB
P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- TO251；P—Channel沟道,-30V；-20A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 20P02J-VB
- 商品编号
- C29778745
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V；72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V；19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
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