温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG055N08NS1C2
N沟道 耐压:80V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：80V/85A，RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG055N08NS1C2
- 商品编号
- C2900843
- 商品封装
- PPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.54nF |
商品特性
- 80V/85A
- RDS(ON) = 4.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理
- 电机控制