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HYG055N08NS1C2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG055N08NS1C2

N沟道 耐压:80V 电流:85A

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描述
特性:80V/85A,RDS(ON)=4.8mΩ(典型值)@VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。逆变器系统的电源管理
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG055N08NS1C2
商品编号
C2900843
商品封装
PPAK5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.218克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)83.3W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.66nF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.54nF

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