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HY3708B
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:80V 电流:170A
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- 描述
- 特性：80V/170A。 RDS(ON) = 3.8 mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3708B
- 商品编号
- C2900840
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 288W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.109nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 995pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
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