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HY3708B

N沟道增强型MOSFET N沟道耐压:80V 电流:170A

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描述: 特性：80V/170A。 RDS(ON) = 3.8 mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）。应用：逆变器系统的电源管理
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HY3708B
商品编号: C2900840
商品封装: TO-263-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.625克(g)

商品参数

商品概述

SVF3878AP7是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 3.8 mΩ(典型值)
80V/170A
100%雪崩测试
可靠且耐用
提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

逆变器系统的电源管理。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	170A
	导通电阻(RDS(on))	5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	288W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	152nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.109nF
	反向传输电容(Crss)	530pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	995pF