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CS25N50ANR
1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
- 描述
- CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P（N），符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS25N50ANR
- 商品编号
- C2900748
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.487nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运-电池管理系统/储能、家庭自动化
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