2N7002AK
N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 描述
- 特性:ESD保护栅极。 低导通电阻:RDS(on) = 2.8Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(on) = 3.1Ω(典型值)(@ VGS = 5V);RDS(on) = 3.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- 2N7002AK
- 商品编号
- C2898356
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用小型薄型封装,占用空间小
- 高速开关
- 低漏源导通电阻 P沟道RDS(ON) = 18mΩ(典型值)(VGS = -10V) N沟道RDS(ON) = 14mΩ(典型值)(VGS = 10V)
- 低漏电流 P沟道IDSS = -10μA(VDS = -30V) N沟道IDSS = 10 μA(VDS = 30V)
- 增强型 P沟道Vth = -0.8至 -2.0V(VDS = -10V,ID = -0.2mA) N沟道Vth = 1.3至2.3V(VDS = 10V,ID = 0.1mA)
应用领域
- 电机驱动器
- 冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器
- 移动设备
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