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IQE008N03LM5CGSCATMA1
N沟道逻辑电平、低导通电阻、通过雪崩测试的30V功率MOSFET，适用于高性能开关电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE008N03LM5CGSCATMA1
- 商品编号
- C29699822
- 商品封装
- WHTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 252A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 经过 100% 雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,如同步/整流应用
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准,无卤