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IPP339N20NM6AKSA1
OptiMos 6功率晶体管，200V
- 描述
- 特性：N 沟道，正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP339N20NM6AKSA1
- 商品编号
- C29699796
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@52uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Qrr）
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175℃
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准为1级潮湿敏感等级（MSL 1）
- 100%经过雪崩测试
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