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HYG016N04LS1W
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:40V 电流:290A
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- 描述
- 特性：40V/290A，RDS(ON) = 1.2 mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 1.6 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG016N04LS1W
- 商品编号
- C2897363
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 290A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
KNX2912A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = 120 V，ID = 130 A，RDS(ON)（典型值）= 6.0 mΩ（VGS = 10 V时）
- 高密度单元设计，降低Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能佳
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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