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G085C03D32
N和P通道增强模式功率MOSFET N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:28A
- 描述
- 类型：N+P沟道 漏源电压(Vdss)：30V/-30V 连续漏极电流(Id)：28A/-12A 阈值电压(Vgs(th))：2.0V/-2.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：9mΩ@10V 12mΩ/19mΩ@4.5V 封装：DFN-8L(3x3)Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G085C03D32
- 商品编号
- C29676633
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.352nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 169pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 176pF |
商品概述
G085C03D32采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- NMOS
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V 时)28A
- RDS(ON)(VGS = 10 V 时)< 11mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 15mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- PMOS
- VDS -30V
- ID(VGS = -10 V 时)-12A
- RDS(ON)(VGS = -10 V 时)< 23mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V 时)< 31mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-电源开关-DC/DC 转换器