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KPD7910A
N沟道MOSFET,电流:28A,耐压:100V
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻Rps(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KPD7910A
- 商品编号
- C2896661
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
KNX2908B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 80 V，ID = 130 A，RDS(ON)（典型值）= 5.0 mΩ @ VGS = 10 V
- 高密度单元设计，降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量，稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能佳
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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