IVCR1401DR
IVCR1401DR
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 负压驱动IC
- 品牌名称
- inventchip(瞻芯电子)
- 商品型号
- IVCR1401DR
- 商品编号
- C2894794
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 19V~25V | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
IVCR1401是一款4A单通道高速智能驱动器,能够高效、安全地驱动碳化硅(SiC)MOSFET和IGBT。带有负偏置的强驱动可提高在高dv/dt操作时对米勒效应的抗干扰能力。去饱和检测提供可靠的短路保护,降低功率器件和系统组件损坏的风险。插入固定的200ns消隐时间,防止过流保护因开关沿电流尖峰和噪声而过早触发。可编程的正栅极驱动电压欠压锁定(UVLO)和固定的负偏置UVLO保护确保栅极工作电压正常。当发生UVLO或过流时,低电平有效的故障信号会向系统发出警报。低传播延迟和失配,以及可选的外露散热焊盘,使SiC MOSFET能够在数百kHz的频率下进行开关操作。集成的负电压产生和5V参考输出可减少外部元件数量。它是首款采用8引脚封装、集成负电压产生、去饱和检测和可编程UVLO功能的工业级SiC MOSFET和IGBT驱动器,是紧凑型设计的理想驱动器。
商品特性
- 驱动器电流能力:4A灌电流和拉电流峰值驱动电流
- 宽VCC范围,最高可达35V
- 集成3.5V负偏置
- 专为低端设计,适用于自举高端电源
- 正栅极驱动电压可编程UVLO,负栅极驱动电压固定UVLO
- 带内部消隐时间的去饱和检测,用于短路保护
- 检测到UVLO或过流保护(OCP)时输出故障信号
- 为外部电路(如数字隔离器)提供5V、10mA参考电压
- TTL和CMOS兼容输入
- 可选外露焊盘的SOIC - 8封装,适用于高频和功率应用
- 典型传播延迟45ns,内置去毛刺滤波器
应用领域
- 电动汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车逆变器和充电站
- 光伏升压转换器和逆变器
- 不间断电源(UPS)AC/DC和DC/DC转换器
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
近期成交87单
其他推荐
- SAM2695
- HC-TYPE-C-6P-01A
- HC-TYPE-C-6P-01B
- HC-TYPE-C-6P-01QT
- HC-TYPE-C-6P-03D
- HC-TYPE-C-16P-01A
- HC-TYPE-C-16P-01B
- HC-TYPE-C-16P-01M
- HC-TYPE-C-16P-CB0.8
- HC-TYPE-C-16P-CB1.0
- HC-TYPE-C-16P-CB1.6
- HC-TYPE-CF-24P-RAT-Z
- HC005-1A1H1A103-0HR
- HC018-1A1H1A103-0HR
- HC-GAP-ACF012-1T
- HC001-1A1H1A103-0HR
- HC014-1A1H1A103-0HR
- HC-AA0B010-078A
- HC-AA0B011-048
- HC-AA0B010-114
- HC-AA0B010-158
