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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IVCR1401DR

IVCR1401DR

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描述
负压驱动IC
商品型号
IVCR1401DR
商品编号
C2894794
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)4A
属性参数值
拉电流(IOH)4A
工作电压19V~25V
上升时间(tr)6ns
下降时间(tf)6ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

IVCR1401是一款4A单通道高速智能驱动器,能够高效、安全地驱动碳化硅(SiC)MOSFET和IGBT。带有负偏置的强驱动可提高在高dv/dt操作时对米勒效应的抗干扰能力。去饱和检测提供可靠的短路保护,降低功率器件和系统组件损坏的风险。插入固定的200ns消隐时间,防止过流保护因开关沿电流尖峰和噪声而过早触发。可编程的正栅极驱动电压欠压锁定(UVLO)和固定的负偏置UVLO保护确保栅极工作电压正常。当发生UVLO或过流时,低电平有效的故障信号会向系统发出警报。低传播延迟和失配,以及可选的外露散热焊盘,使SiC MOSFET能够在数百kHz的频率下进行开关操作。集成的负电压产生和5V参考输出可减少外部元件数量。它是首款采用8引脚封装、集成负电压产生、去饱和检测和可编程UVLO功能的工业级SiC MOSFET和IGBT驱动器,是紧凑型设计的理想驱动器。

商品特性

  • 驱动器电流能力:4A灌电流和拉电流峰值驱动电流
  • 宽VCC范围,最高可达35V
  • 集成3.5V负偏置
  • 专为低端设计,适用于自举高端电源
  • 正栅极驱动电压可编程UVLO,负栅极驱动电压固定UVLO
  • 带内部消隐时间的去饱和检测,用于短路保护
  • 检测到UVLO或过流保护(OCP)时输出故障信号
  • 为外部电路(如数字隔离器)提供5V、10mA参考电压
  • TTL和CMOS兼容输入
  • 可选外露焊盘的SOIC - 8封装,适用于高频和功率应用
  • 典型传播延迟45ns,内置去毛刺滤波器

应用领域

  • 电动汽车车载充电器
  • 电动汽车/混合动力汽车逆变器和充电站
  • 光伏升压转换器和逆变器
  • 不间断电源(UPS)AC/DC和DC/DC转换器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个4000个/圆盘

近期成交87