- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMDQ75R027M1HXUMA1
碳化硅MOSFET功率器件
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ75R027M1HXUMA1
- 商品编号
- C29543687
- 商品封装
- SOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 耗散功率(Pd) | 273W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.668nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 144pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ |
商品概述
750伏 CoolSiC 采用英飞凌二十余年开发的坚实碳化硅技术构建。凭借宽禁带碳化硅材料的特性，750伏 CoolSiC 功率 MOSFET 在性能、可靠性与易用性方面实现了独特结合。它适用于高温与严苛工况，能够以简化的方式、经济高效地实现最高的系统效率。
商品特性
- 高度稳健的750伏技术，100%经过雪崩测试
- 业界领先的 RDS(on) × Qff 值
- 优异的 RDS(on) × Qoss 和 RDS(on) × QG 值
- CISS / CISS 比值低与 VGS(th) 阈值电压高的独特组合
- 英飞凌专有的芯片贴装技术
- 先进的顶部冷却封装 (QDPAK)
- 提供驱动源引脚
应用领域
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源
- 储能与电池化成
- 电信与服务器开关电源