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GL40P04A4
P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- GL40P04A4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。该器件采用TO 252封装形式，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL40P04A4
- 商品编号
- C2892079
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
GL40P04A4采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 14 mΩ(典型值12 mΩ)
- 高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 良好的散热封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源