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HYG055N08NS1P
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 特性：80V/120A。 RDS(ON) = 5.3mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG055N08NS1P
- 商品编号
- C2892077
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为在低驱动电压的同步整流电源系统中使用而设计。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- PD充电器
- 电机驱动器
- 开关稳压器
- DC-DC转换器
- 开关模式电源