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BSS84
-60V/-0.13A P沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：功率因数校正 (PFC)。 开关电源 (SMPS)
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C29496302
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V；5Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 41.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19.3pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- ESD 等级:人体模型 2000V
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)