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2N7002AK-QR
N沟道 60V 240mA
- 描述
- N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002AK-QR
- 商品编号
- C29467847
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 315pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路