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FDN340P
P沟道MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDN340P
- 商品编号
- C2890122
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品特性
- 30V、70A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 6 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 12 mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换
- AO3415A
- FDN338P
- ESD5V0B18A-0201
- PESD24VL2BT
- PESD5V0H1BSF-P
- TPESD54191CZ
- TPAZ5B65-01F
- PDFB033250-SOD923
- RCLAMP0551P-P
- TPE24KCANS3
- SMAJ20A
- XC32M4-19.200-F10NNHP
- XC21M4-24.000-F12NNHQ
- XC32M4-25.000-F09NLCT
- XC32M4-20.000-F12LAMZ
- CO75H4-24.000-33JDTSN
- X49SS2-7.3728-F20JJDT
- XC53G2-14.31818-F20LJDT
- FL26T2-32.768-NTLLLDT
- CO53H4-24.000-WPLLHPSN
- CO53H4-30.000-WPLLHPSN