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QS5K2TR
2个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 节省空间，采用小型表面贴装封装（TSMT5）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS5K2TR
- 商品编号
- C2889124
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 154mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UTC 4N80-FC 具备出色的导通电阻 RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 2.0A 条件下，RDS(ON) ≤ 3.7Ω
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了 dv/dt 能力，具有高耐用性
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