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GAN039-650NBBHP
CCPAK1212封装的氮化镓场效应晶体管，结合高压GaN HEMT H2技术与低压硅MOSFET技术，可靠性和性能优越
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN039-650NBBHP
- 商品编号
- C29343393
- 商品封装
- CCPAK1212
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
商品概述
GAN039 - 650NBB是一款采用CCPAK1212封装的650 V、33 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。它是一款常关型器件，结合了安世半导体（Nexperia）最新的高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。
商品特性
- 可使用标准电平MOSFET栅极驱动器，简化驱动器设计：
- 驱动电压为0 V至12 V
- 栅极阈值电压V_GSth为4 V
- 具有±20 V V_GS额定值的坚固栅极氧化物
- 4 V的高栅极阈值电压，可抗栅极反弹
- 低体二极管V_f，可降低损耗并简化死区时间调整
- 具有瞬态过压能力，增强了鲁棒性
- CCPAK封装技术：
- 提高了可靠性，降低了R_th(j - mb)以实现最佳散热
- 较低的电感，可降低开关损耗和电磁干扰（EMI）
- 最高结温为150°C
- 具有高板级可靠性，能在热循环过程中吸收机械应力，与传统QFN封装不同
- 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接润湿，可形成良好的机械焊点
应用领域
- 工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器
- 无桥图腾柱功率因数校正（PFC）
- 光伏（PV）和不间断电源（UPS）逆变器
- 伺服电机驱动器